Princippet om flash mobil hukommelse
Jul 09, 2022| Flash mobilhukommelse består hovedsageligt af i/o-kontrolchip, flashhukommelse, printkort og andre elektroniske komponenter.
Lagerprincippet for mobilhukommelse med flashhukommelse er: computeren konverterer binære digitale signaler til sammensatte binære digitale signaler (tilføjer instruktioner såsom allokering, check, stak osv.) for at læse og skrive til usb-chiptilpasningsgrænsefladen og tildele den tilsvarende adresse på eeprom-hukommelsechippen gennem chipbehandlingssignalet. Gem binære data for at realisere datalagring.
Styringsprincippet for eeprom-datahukommelse er, at spændingen styrer spændingsværdien af gatetransistoren, og gatetransistorens krydskapacitans kan gemme spændingsværdien i lang tid. gitter. Et flydende skur til lagring af elektroner er dannet på halvlederen, hvor strømmen leder ensrettet mellem kilden og drænet. Den flydende port er pakket ind med en siliciumoxidfilmisolator. Over den er select/control gate, der styrer ledningsstrømmen mellem source og drain. Dataene er {{0}} eller 1 afhængigt af om der er elektroner i den flydende gate dannet på siliciumsubstratet. 0 med elektroner, 1 uden elektroner. Flash-hukommelse, som navnet antyder, initialiseres ved at slette data før skrivning. Specifikt udvindes elektroner fra alle flydende porte. Nogle data vil snart blive returneret til "1". Når du skriver, skal du kun skrive, når dataene er 0, og ikke gøre noget, når dataene er 1. Når en 0 skrives, påføres en højspænding til gate-elektroden og drænet, hvilket øger energien af elektroner ført mellem kilden og drænet. Dette tillader elektroner at bryde gennem oxidfilmisolatoren og ind i den flydende port. Ved læsning af data tilføres en bestemt spænding til gate-elektroden, strømmen er 1, når strømmen er stor, og 0, når strømmen er lille. I en tilstand, hvor den flydende gate ikke har nogen elektroner (data er 1), tilføres en spænding til drænet, når der påføres en spænding til gate-elektroden, og der genereres en strøm på grund af bevægelsen af et stort antal elektroner mellem kilde og afløb. I den tilstand, hvor den flydende gate har elektroner (dataene er 0), vil elektronerne ført i kanalen blive reduceret. Fordi spændingen påført til gate-elektroden absorberes af de flydende gate-elektroner, er det vanskeligt at påvirke kanalen.