Skriveydelse af flashhukommelse
Jul 13, 2022| Skrivetrinnene i NAND flash-hukommelse er opdelt i: afsendelse af adresseringsoplysninger → overførsel af data til sideregister → afsendelse af kommandooplysninger → skrivning af data fra register til side. Kommandocyklussen er også en. Vi kombinerer det med adresseringscyklussen, men de to dele er ikke kontinuerlige.
K9k1g08u0m har brug for fem kommandoer og adresseringscyklusser for at skrive en side × 50ns + (512 + 16) × 50ns + 200 μ s = 226.7 μ s。 K9k1g08u0m faktisk skriveoverførselshastighed: 512 bytes ÷ 226.7 μ s = 2.2MB / s。 K9k4g08u0m har brug for seks kommandoer og adresseringscyklusser for at skrive en side × 50ns + (2K + 64) × 50ns + 300 μ s = 405.9 μ s。 K9k4g08u0m faktisk skriveoverførselshastighed: 2112 bytes /405.9 μ s=5MB/s。 Brug af 2 KB-sidekapacitet forbedrer derfor skriveydelsen med mere end dobbelt så meget som 512 byte sidekapacitet.